НАУЧНЫЕ УЧРЕЖДЕНИЯ
НАУЧНЫЕ УЧРЕЖДЕНИЯ
В настоящее время ОНЦ СО РАН объединяет 5 академических научных подразделений, расположенных в городе Омске.
Первые подразделения
математического и химического профиля в Омске были созданы в 1978 году
НАУЧНАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ
НАУЧНАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ
Организация и проведение научных исследований, ОКР и ОТР, образовательной деятельности, внедрение достижений науки
в производство
Деятельность направлена
на содействие технологическому, экономическому и социальному развитию России и Омской области
ЦЕНТР КОЛЛЕКТИВНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ
ЦЕНТР КОЛЛЕКТИВНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ
Уникальное современное высокоточное оборудование для научных исследований
Уникальное современное высокоточное оборудование для научных исследований
БИБЛИОТЕКА
БИБЛИОТЕКА
Фонд формируется
с уче­том научных направлений, развивающихся в академических научных учреждениях Омска.
Доступ к важнейшим
научно-образовательным электронным отечественным и зарубежным электронным базам
СОВЕТ НАУЧНОЙ МОЛОДЕЖИ
СОВЕТ НАУЧНОЙ МОЛОДЕЖИ
Объединяет Советы молодых учёных научных учреждений СО РАН, координируемых ОНЦ СО РАН
Цель работы – способствовать вовлечению молодёжи
в науку, профессиональному росту молодых учёных и популяризации науки.

д.ф.-м.н., профессору Болотову В.В. - 70 лет!

21 Ноября 2017

26 ноября 2017 года исполняется 70 лет

доктору физико-математических наук, профессору,

заведующему лабораторией физики наноматериалов и гетероструктур

Омского научного центра СО РАН

БОЛОТОВУ ВАЛЕРИЮ ВИКТОРОВИЧУ


Болотов_70-1.jpg

Болотов Валерий Викторович родился 26.11.1947 г. в г. Сатка Челябинской области. В 1970 г. окончил Латвийский государственный университет имени Петра Стучки, по специальности – физик. Доктор физико-математических наук (1997), профессор (1999). В.В. Болотов является ведущим специалистом в области радиационной физики полупроводников и полупроводникового материаловедения, автором 376 научных публикаций, соавтором двух коллективных монографий (1977, 1980), одна из которых переведена на английский язык (1982). Успешное развитие научных исследований в области материаловедения кремния позволило д.ф.-м.н., профессору В. В. Болотову и его ученикам создать новое научное направление в материаловедении и радиационной физике полупроводников – физические основы инженерии дефектов.  


Существенность научных результатов и успешное развитие работ в научных коллективах под его руководством позволили ему в 1993 г. возглавить Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН, в дальнейшем - Омский филиал Института физики полупроводников СО РАН. В 1995 г. В.В. Болотов был избран председателем Совета директоров Омского научного центра СО РАН, а в период с 01.06.1999 по 01.06.2000 гг. исполнял обязанности председателя Президиума ОНЦ СО РАН, впоследствии – заместителя председателя Президиума ОНЦ СО РАН по научной работе.


В настоящее время В.В. Болотов является заведующим лабораторией физики наноматериалов и гетероструктур. Коллектив лаборатории ведет исследования в области создания перспективных наноматериалов и структур для микро- и наноэлектроники, наносенсорики, химических источников тока. На основе данных исследований получены микросенсорные структуры для диагностики химических реагентов с высокой чувствительностью, разработаны физико-химические основы создания активных широкоформатных матриц для управления жидко-кристаллическими дисплеями.


Д.ф.-м.н., профессор В.В. Болотов ведет активную деятельность по подготовке кадров высшей квалификации. Под его руководством выполнено 10 кандидатских диссертаций. На протяжении семи лет профессор В.В.Болотов возглавлял кафедру физики твердого тела Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского, в настоящее время является профессором кафедры прикладной и медицинской физики ОмГУ. В.В. Болотов неоднократно награждался за научные достижения, плодотворную научно-организационную и педагогическую деятельность. За вклад в развитие научного направления и подготовку высококвалифицированных кадров профессор В.В. Болотов награжден медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени, Почетными грамотами Министерства образования и науки Российской Федерации, РАН и СО РАН. В.В.Болотов является членом Объединенного Ученого Совета по физике СО РАН, членом диссертационных советов, экспертом РАН.


Приветствия и поздравления можно направить по адресу:

Омский научный центр СО РАН,

644024, г. Омск, просп. К. Маркса, 15.

Электронная почта: bolotov@obisp.oscsbras.ru

Телефон: (3812) 56 01 74

факс: (3812) 37 17 62


Лично поздравить юбиляра можно на расширенном заседании

Ученого совета Омского научного центра СО РАН

27 ноября 2017 г. в 15.00 по адресу:

г. Омск, просп. К. Маркса, 15,

конференц-зал Президиума Центра (2-й этаж)